3月15日，由中國電工技術學會主持、寧夏超導泛科技有限責任公司（以下簡稱“寧夏超導泛科技”）牽頭組織的“高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用科技成果鑒定會”在寧夏銀川市舉辦。

鑒定會上，由中國科學院院士甘子釗領銜的專家委員會對項目進行了全面評估。專家一致認為，該技術填補了我國在高端硅晶體制造領域的多項空白，綜合性能達到國際領先水平。

據(jù)介紹，高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用的關鍵，在于引入高溫超導磁體技術?？蒲袌F隊針對高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長技術瓶頸，研制出高溫超導磁控硅單晶生長裝備，形成大尺寸硅單晶長棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長工藝，實現(xiàn)大尺寸（12英寸以上）高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn)，經(jīng)濟和社會效益顯著。

科技日報記者 魏依晨 攝

根據(jù)項目報告顯示，寧夏超導泛科技自主研發(fā)的高溫超導磁控硅單晶生長設備及技術，可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma（質(zhì)量百萬分比）以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，目前已拉出直徑達340毫米的高品質(zhì)硅棒。

甘子釗院士在評審中表示：“這是國際上首次將高溫超導技術應用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術產(chǎn)業(yè)化做了很多開創(chuàng)性的工作，開辟了超導技術產(chǎn)業(yè)化新賽道。”他特別提到，該技術對實現(xiàn)“雙碳”目標具有戰(zhàn)略意義。